Transistor Mosfet N-Kanal 30V 80A 205W T60N02RG
Beschreibung
Transistor Mosfet N-Kanal 30V 80A 205W T60N02RG
- Eigenschaft Wert Typ T60N02RG-VB
- Hersteller VBsemi
- Bauteilart Leistungs-MOSFET
- Kanaltyp N-Kanal
- Technologie Trench
- Drain-Source-Spannung (VDS) 30V
- Gate-Source-Spannung (VGS) ±20V
- Dauer-Drainstrom (ID) bei TC = 25 °C 80A
- Dauer-Drainstrom (ID) bei TC = 70 °C 60A
- Drainstrom bei TA = 25 °C 25,8A (10-s-Bedingung)
- Puls-Drainstrom (IDM) 250A
- Verlustleistung bei TC = 25 °C 205W
- Verlustleistung bei TC = 70 °C 135W
- Einschaltwiderstand (RDS(on)) typisch 5 m? bei 10V
- Einschaltwiderstand (RDS(on)) typisch 6 m? bei 4,5V
- Gate-Schwellenspannung 1,0?2,5 V
- Gate-Ladung (Qg) typisch 31,5 nC bei 4,5V
- Gate-Ladung (Qg) typisch 61 nC bei 10V
- Eingangskapazität (Ciss) typisch 2201 pF
- Ausgangskapazität (Coss) typisch 525 pF
- Rückwirkungskapazität (Crss) typisch 270pF
- Wärmewiderstand RthJC max. 0,6 °C/W
- Sperrschichttemperatur ?55 bis +175 °C
- Gehäuse TO-252 / DPAK
- Anschlusszahl 3
- RoHS Ja