IRFZ 34N N-FET unipolar HEXAFET 55V 26A 56W TO 220AB
Beschreibung
IRFZ 34N N-FET unipolar HEXAFET 55V 26A 56W TO 220AB
- Hersteller Infineon (IRF)
- Transistor-Typ N-MOSFET
- Polarisierung unipolar
- Drain-Source Spannung 55V
- Drainstrom 26A
- Leistung 56W
- Gehäuse TO220AB
- Gate-Source Spannung ±20V
- Widerstand im Leitungszustand 40mO
- Montage THT
- Gate-Ladung 22.7nC
- Technologie HEXFET®