IRF3205 N- fet 55V 110A 200W TO220

Artikelnummer: IRF3205

Kategorie: IR...

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Beschreibung

IRF3205 N- fet 55V 110A 200W TO220AB

    Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES
    Transistor-Typ N-MOSFET
    Technologie HEXFET®
    Polarisierung unipolar Drain-Source
    Spannung 55V
    Drainstrom 80A
    Verlustleistung 200W
    Gehäuse TO220AB
    Gate-Source Spannung ±20V
    Widerstand im Leitungszustand 8m?
    Montage THT
    Gate-Ladung 146nC
    Kanal-Art stark

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