FQP65N08, 65N08 N-Fet 85V 120A 164W TO220
Beschreibung
FQP65N08, 65N08 N-Fet 85V 120A 164W TO220
- Transistortyp: MOSFET
Steuerkanaltyp: N-Kanal Pd
Maximale Verlustleistung: 164 W
Maximale Drain-Source-Spannung: 85 V
Maximale Gate- Quellenspannung: 20 V
Maximale Gate-Schwellenspannung: 4 V
Maximaler Drain-Strom: 120 A
Maximale Sperrschichttemperatur: 150 °C
Gesamt-Gate-Ladung: 47 nC tr< br="">Anstiegszeit: 31 nS Coss
Ausgangskapazität: 790 pF Rds
Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand: 0,0065 Ohm
Gehäuse: TO220