Transistor NPN 800V 10A 100W TO3 - SU167
Beschreibung
Transistor NPN 800V 10A 100W TO3 - SU167
- Hersteller: VEB Mikroelektronik ?Karl Liebknecht? Stahnsdorf (DDR)
- Transistormaterial: Si
- Polarität: NPN
- Absolute Grenzwerte
- Maximale Kollektor-Verlustleistung (Pc): 100 W
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung |Vce|: 325 V
- Maximaler Kollektorstrom |Ic max|: 10 A
- Elektrische Kenndaten
- Stromverstärkungsfaktor
- (hFE), MIN: 10
- Rauschmaß, dB: -
- Gehäuse: TO3