Germanium-Transistor PNP 32V 500mA 900mW TO1 - AC152V
Beschreibung
Germanium-Transistor PNP 32V 500mA 900mW TO1 - AC152V
- Material des Transistors: Ge
- Polarität: PNP
- Maximale Kollektor-Verlustleistung (PC): 0,9 W
- Maximale Kollektor-Basis-Spannung |Vcb|: 32 V
- Maximale Kollektor-Verlustleistung -Emitterspannung |Vce|: 24 V
- Maximale Emitter-Basis-Spannung |Veb|: 10 V
- Maximaler Kollektorstrom |Ic max|: 0,5 A
- Max. Betriebssperrschichttemperatur (Tj): 90 °C
- Übergangsfrequenz (ft): 1 MHz
- Kollektorkapazität (Cc): 40 pF
- Durchlassstromübertragungsverhältnis (hFE)
- MIN : 50 Rauschzahl, dB: -
- Gehäuse: TO1