BC108B Transistor NPN 30V 0,1A 0,3W TO18
Beschreibung
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Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar-epitaxial NPN Form/Case: TO-18 (Collector mit Gehäuse verbunden) Daten/electr.data: I F: 0.01(2) mA; U F: 0.5(5) V; Isp: 0.01 µA (0.02nA); ß (beta): 100(125...900*); N: 300 mW; Imax(Ic): 20 mA; Umax(Uce): 20 V; f g(FT): 50(300) MHz; tmax j: 175 °C; kompl.: BC178 / BC178A / BC178B / BC178C. BC108A: *) 125-260, BC108B: *) 240-500, BC108C: *) 450-900; für alle ~A...~C gelten Werte in der Klammer |
