2N 4444 Silizium Thyristor 600V 8A 5W TO225AA
Beschreibung
2N 4444 Silizium Thyristor 600V 8A 5W TO225AA
- Maximale Spitzen-Gate-Leistung (PGM): 5W
- Maximale wiederkehrende Spitzen- und Sperrspannung (VDRM): 600V
- Maximaler durchschnittlicher Durchlassstrom (IT(AVR)): 5,1A
- Maximaler Effektivwert des Durchlassstroms (IT(RMS)): 8A
- Nicht wiederkehrender Spitzenstrom im Durchlassbereich (ITSM): 80A
- Kritische Anstiegsgeschwindigkeit der Sperrspannung (dV/dt): 50V/µs
- Maximaler Betriebstemperaturbereich für Sperrschicht und Lagerung (Tstg, Tj): -40?100 °C
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung (RTH(j-a)): 40 K/W
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (RTH(j-c)): 2,5 K/W
- Trigger-Gate-Spannung (VGT): 1,5V
- Spitzenspannungsabfall im eingeschalteten Zustand (VTM): 1,5V
- Trigger-Gate-Strom (IGT): 30mA
- Haltestrom (IH): 40 mA
- Gehäuse TO225AA