BS170 N-FETl 60V 500mA 830mW TO92
Beschreibung
BS170
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.83
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 60
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 0.5
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 5
Transistorgehäuse: TO92