GS112 20V 210mA 83mW TO39

Artikelnummer: GS 112

Kategorie: DDR Transistoren


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Beschreibung

GS112 20V 210mA 83mW TO39
  • Material des Transistors: Ge
  • Polarität: PNP
  • Maximale Kollektorverlustleistung (Pc): 0,083 W
  • Maximale Kollektor-Basisspannung | Vcb |: 20 V
  • Maximaler Kollektorstrom | Ic max |: 0,21 A
  • max. Betriebstemperatur der Verbindungsstelle (Tj): 90 ° C
  • Vorwärtsstromübertragungsverhältnis (hFE), MIN: 30
  • Rauschzahl, dB: -
  • Gehäuse: TO39

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