3SK59 MOS-N-FET Dual- Gate T072 20V FM/VHF
Beschreibung
3SK59
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.3
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 20
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 9
Maximaler Drainstrom (Id): 0.03
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 5
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 200
Transistorgehäuse: TO72