BPX81 Silizium Fototransistor 850nm 2-Pin
Beschreibung
BPX81 Silizium Fototransistor 850nm 2-Pin
- Kollektor-Emitter-Spannung: 35 V
- Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 bis 1100 nm
- Betriebstemperatur: ?40 bis +80 °C
Technische Merkmale
- (Typ, Fotostrom, Wellenlänge): BPX81, min. 250 µA, 850 nm