IRF530 N-FET 100V 9,9A 55W TO220

IRF 530 N-FET 100V 9,9A 55W TO220

Artikelnummer: IRF 530

Kategorie: IR...

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IRF530

Hersteller
Transistortyp	N-MOSFET
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	9.9A
Leistung	55W
Gehäuse	TO220
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	110mO
Montage	THT
Gate-Ladung	36nC
Verpackungs-Art	Tube

IRF 530 N-FET 100V 9,9A 55W TO220