MJ 11015 Transistor PNP-Darl 120V 30A 200W TO3
Beschreibung
MJ 11015 Transistor PNP-Darl 120V 30A 200W TO3
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MJ 11015G
? Typ: Schhalt-Leistungstransistor
? Ausführung: PNP-Darl
? Gehäuse: TO-3
? Kollektor-Basisspannung VCBO: 120 V
? Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 120 V
? Emitter-Basisspannung VEBO: 5 V
? Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: --
? Kollektorgleichstrom: 30 A
? Maximaler Leistungsverlust: 250 W
? DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 1000
? Bandbreitengewinnungsprodukt fT:4 MHz
? Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
? Minimale Betriebstemperatur: - 55 C