BUZ10 N-FET 50V 20A 75W TO220

Artikelnummer: BUZ10


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BUZ10
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 75
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 50
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 20
Maximaler Drainstrom (Id): 20
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 175
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 700
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.07
Transistorgehäuse: TO220

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