BC264B FET N-Kanal 30V idss>2mA up<1,6V ra TO92
Beschreibung
BC264B FET N-Kanal 30V idss>2mA up<1,6V ra TO92
- Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET
- Form/Case: TO-92 / SOT-54 Anschlussfolge: DSG
- Daten/electr.data:I F: 10 mA; Isp: <10 nA
- U F: 15 V; ß (beta): >2.5; N: 300 mW
- Idss: 2-12 mA
- Umax: 30 V; f g (FT): __ MHz; tmax j:150C
- Variante: BC264A, ~B, ~C, ~D (jeweils unterschiedlicher Drain-Source-Kurzschlussstrom, sonst gleich); BC264L:
- Anschlussfolge DGS
