BC 169B Transistor NPN TO-92 40V 0,5A 0,7W

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Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.:
Silizium Planar-epitaxial NPN
Form/Case/Outline:
TO-92 Anschlussfolge BCE
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: 5 V; Isp: 0.2 µA; ß (beta): 240-900*; N: 180 mW; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Ucb/Uce): 20 V; f g(FT): 300 MHz; tmax j: 125 °C; rauscharm; kompl.: BC259.
Varianten:
BC169B = 240-500*, BC169C = 450-900* (hfe-Gruppen)

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