MJ 15022G Transistor NPN 200V 16A 250W TO3

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Beschreibung

MJ 15022G Transistor NPN 200V 16A 250W TO3
  • Werkstoff: Si
  • Polarity: PNP
  • Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 250 W
  • Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 350 V
  • Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 200 V
  • Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 7 V
  • Kollektorstrom (Ic): 16 A
  • Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 200 °C
  • Transitfrequenz (ft): 4 MHz
  • Kollektor-Kapazität (Cc): 500 pF
  • Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 15
  • Transistorgehäuse: TO3

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