FQPF8N60C N-Kanal Transistor MOSFET 600 V 7,5 A TO-220F

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Beschreibung

FQPF8N60C N-Kanal Transistor MOSFET 600 V 7,5 A TO-220F
    Channel-Typ N
    Dauer-Drainstrom max. 7,5 A
    Drain-Source-Spannung max. 600 V
    Drain-Source-Widerstand max. 1,2O
    Gate-Source Spannung max. ±30 V
    Gehäusegröße TO-220F
    Montage-Typ Durchsteckmontage
    Pinanzahl 3
    Channel Mode Enhancement
    Kategorie Leistungs-MOSFET
    Verlustleistung max. 48 W
    Typical Turn-Off Delay Time 81 ns
    Eingangskapazität typ. @ Vds 965 pF @ 25 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min. -55 °C
    Betriebstemperatur max. +150 °C
    Höhe 9.19mm
    Länge 10.16mm
    Breite 4.7mm
    Anzahl der Elemente pro Chip 1
    Typical Turn-On Delay Time 16,5 ns
    Abmessungen 10.16 x 4.7 x 9.19mm

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