BF960 N-FET 20V 20mA 200mW SOT103

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Beschreibung

BF960
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.2
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 20
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 8.5
Maximaler Drainstrom (Id): 0.02
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 0.8
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 200
Transistorgehäuse: SOT103

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