BD106 Transistor NPN

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Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN
Form/Case/Outline: SOT-9
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U F: 2 V; Isp: 0.5 µA; ß (beta): 50-300*; N: 11.5 W; Imax(Ic): 2.5 A; Umax(Uce): 36 V; f g(FT): 100 MHz; tmax j: 175 °C mit Kühlkörper.

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